Intel en Micron werken aan 10 TB SSD
Wie Moore’s Law zegt, zegt Intel. De wet is universeel gekend maar Intel doet actiever dan de meesten zijn best om de doctrine die de medeoprichter van het merk in 1965 vooropstelde te volgen: iedere twee jaar moet de capaciteit van microchips verdubbelen. Wat in de tijd van Moore een observatie was, is nu een uitdaging. Op het vlak van processors slaagt Intel er (als enige) in om Moore netjes tevreden te stellen, al wordt ook dat steeds moeilijker. In een samenwerking met Micron wil Intel de verdubbeling nu ook handhaven voor flash-geheugen.
Duur
Flash-geheugen wordt gebruikt in onder andere SSD’s, smartphones en USB-sticks. Het supersnelle geheugen is klein en efficiënt, maar niet goedkoop. Om flash goedkoper te maken zijn er doorbraken nodig: de dichtheid van de chips moet verhogen, net zoals de hoeveelheid transistors op dezelfde oppervlakte bij processors omhoog moet.
[related_article id=”152275″]
De oplossing: stapelen. 3D NAND heet de technologie en ze laat fabrikanten toe meer geheugen op dezelfde oppervlakte te proppen. Intel en Micron kondigen nu een doorbraak aan op het gebied van NAND-technologie. Beide fabrikanten werken al lang samen voor de productie van Flash. Met de nieuwe 3D-NAND-technologie worden opslagcellen in lagen verticaal boven elkaar gestapeld.
Tien terabyte
Intel en Micron opteren voor 32 lagen voor het maken van een multilevel cel (MLC) van 256 GB (met twee bits per cel) en een triple-level cel (TLC) van 384 GB (met drie bits per cel). De cellen passen binnen SSD’s met een standaard formaat. Een 2,5 inch-schijf kan dankzij de technologie een capaciteit krijgen van meer dan 10 TB. De nieuwe 3D-NAND moet bovendien ook de snelheid een boost geven en goedkoper zijn per gigabyte dan de oude Planar-NAND.
Het Flash-geheugen wordt momenteel geproduceerd zodat fabrikanten er tegen het einde van het jaar al zelf mee aan de slag kunnen. Ook Intel en Micron zullen zelf SSD’s met eigen 3D-NAND op de markt brengen. Die producten zouden volgend jaar al in de rekken liggen (of in je nieuwe ultrabook steken). Bovendien maakt de technologie het ook mogelijk om het geheugen van telefoons uit te breiden. Wie weet zien we binnenkort een iPhone 7 of een Galaxy S7 met 256 GB aan opslagruimte (voor 1.500 euro en een nier).
Samsung
3D-NAND is niet nieuw. Samsung heeft de technologie al langer onder de knie en is dan ook niet voor niets marktleider in de Flash-markt met een aandeel van 28 procent in het laatste kwartaal van vorig jaar. Micron heeft ter vergelijking 14 procent en Intel 8 procent. Beide merken claimen wel in een persbericht dat hun variant van 3D-NAND de grootste dichtheid bezit. Met 32 lagen steken ze Samsung inderdaad de loef af, de (uitstekende) Evo 850 doet het met 24 lagen TLC NAND. Daar staat tegenover dat ze bijna een half jaar later zijn dan Samsung, en de kans dat die laatste op z’n lauweren rust is zo goed als onbestaande.
Wie Moore’s Law zegt, zegt Intel. De wet is universeel gekend maar Intel doet actiever dan de meesten zijn best om de doctrine die de medeoprichter van het merk in 1965 vooropstelde te volgen: iedere twee jaar moet de capaciteit van microchips verdubbelen. Wat in de tijd van Moore een observatie was, is nu een uitdaging. Op het vlak van processors slaagt Intel er (als enige) in om Moore netjes tevreden te stellen, al wordt ook dat steeds moeilijker. In een samenwerking met Micron wil Intel de verdubbeling nu ook handhaven voor flash-geheugen.
Duur
Flash-geheugen wordt gebruikt in onder andere SSD’s, smartphones en USB-sticks. Het supersnelle geheugen is klein en efficiënt, maar niet goedkoop. Om flash goedkoper te maken zijn er doorbraken nodig: de dichtheid van de chips moet verhogen, net zoals de hoeveelheid transistors op dezelfde oppervlakte bij processors omhoog moet.
[related_article id=”152275″]
De oplossing: stapelen. 3D NAND heet de technologie en ze laat fabrikanten toe meer geheugen op dezelfde oppervlakte te proppen. Intel en Micron kondigen nu een doorbraak aan op het gebied van NAND-technologie. Beide fabrikanten werken al lang samen voor de productie van Flash. Met de nieuwe 3D-NAND-technologie worden opslagcellen in lagen verticaal boven elkaar gestapeld.
Tien terabyte
Intel en Micron opteren voor 32 lagen voor het maken van een multilevel cel (MLC) van 256 GB (met twee bits per cel) en een triple-level cel (TLC) van 384 GB (met drie bits per cel). De cellen passen binnen SSD’s met een standaard formaat. Een 2,5 inch-schijf kan dankzij de technologie een capaciteit krijgen van meer dan 10 TB. De nieuwe 3D-NAND moet bovendien ook de snelheid een boost geven en goedkoper zijn per gigabyte dan de oude Planar-NAND.
Het Flash-geheugen wordt momenteel geproduceerd zodat fabrikanten er tegen het einde van het jaar al zelf mee aan de slag kunnen. Ook Intel en Micron zullen zelf SSD’s met eigen 3D-NAND op de markt brengen. Die producten zouden volgend jaar al in de rekken liggen (of in je nieuwe ultrabook steken). Bovendien maakt de technologie het ook mogelijk om het geheugen van telefoons uit te breiden. Wie weet zien we binnenkort een iPhone 7 of een Galaxy S7 met 256 GB aan opslagruimte (voor 1.500 euro en een nier).
Samsung
3D-NAND is niet nieuw. Samsung heeft de technologie al langer onder de knie en is dan ook niet voor niets marktleider in de Flash-markt met een aandeel van 28 procent in het laatste kwartaal van vorig jaar. Micron heeft ter vergelijking 14 procent en Intel 8 procent. Beide merken claimen wel in een persbericht dat hun variant van 3D-NAND de grootste dichtheid bezit. Met 32 lagen steken ze Samsung inderdaad de loef af, de (uitstekende) Evo 850 doet het met 24 lagen TLC NAND. Daar staat tegenover dat ze bijna een half jaar later zijn dan Samsung, en de kans dat die laatste op z’n lauweren rust is zo goed als onbestaande.
