Samsung is gestart met de productie van haar 96-laags 3D NAND-geheugen
Samsung is wereldwijd een van de grootste producenten van NAND-geheugen voor in onder andere smartphones en laptops. Niet al te lang geleden kondigde Micron aan om de productie van 96-laags 3D-NAND te gaan starten. Samsung kon daarbij natuurlijk niet achterblijven op de concurrentie en komt nu tevens op korte termijn met 96-laags 3D-NAND. Producten met het nieuwe geheugen zijn er nog niet, maar zullen waarschijnlijk snel volgen.
Samsung heeft het echter niet gelaten bij een verhoging van het aantal ‘datalagen’ per chip, ook de efficiëntie en snelheid hebben een behoorlijke sprong gemaakt. Om te beginnen hebben de chips een nieuwe ‘toggle DDR 4.0-interface’. Met deze nieuwe interface wordt de snelheid van de overbrenging van de opslag naar het geheugen verhoogd naar 1.4-gigabit per seconde (Gbps).
Ook op het gebied van schrijfsnelheid is er winst geboekt. De schrijfsnelheid is bij het nieuwe geheugen verlaagd naar 500-microseconden. De vertraging tussen het aanzetten en het daadwerkelijk lezen van een item is verlaagd naar 50 microseconden.
Energieverbruik
Als je ergens meer lagen aan toevoegt zou je verwachten dat er meer energie verbruikt gaat worden. Niks is echter minder waar – Samsung heeft het energieverbruik van de chips gelijk weten te houden. Voorheen lag de spanning op 1.8V, deze is bij het nieuwe geheugen omlaag gebracht naar 1.2V. Samsung zegt daarbij dat de chips net zo zuinig zijn als de 64-laags NAND-chips.
Vooralsnog gaat Samsung het nieuwe productieproces enkel inzetten voor TLC (Triple Level Cells) -geheugen dies van 256 GB, al zal dit in de toekomst wel wijzigen. 1 TB QLC (Quad Level Cells) hoort daar bij de mogelijkheden. Wanneer Samsung van plan is om het nieuwe soort geheugen naar haar producten te brengen is onbekend.
Samsung is wereldwijd een van de grootste producenten van NAND-geheugen voor in onder andere smartphones en laptops. Niet al te lang geleden kondigde Micron aan om de productie van 96-laags 3D-NAND te gaan starten. Samsung kon daarbij natuurlijk niet achterblijven op de concurrentie en komt nu tevens op korte termijn met 96-laags 3D-NAND. Producten met het nieuwe geheugen zijn er nog niet, maar zullen waarschijnlijk snel volgen.
Samsung heeft het echter niet gelaten bij een verhoging van het aantal ‘datalagen’ per chip, ook de efficiëntie en snelheid hebben een behoorlijke sprong gemaakt. Om te beginnen hebben de chips een nieuwe ‘toggle DDR 4.0-interface’. Met deze nieuwe interface wordt de snelheid van de overbrenging van de opslag naar het geheugen verhoogd naar 1.4-gigabit per seconde (Gbps).
Ook op het gebied van schrijfsnelheid is er winst geboekt. De schrijfsnelheid is bij het nieuwe geheugen verlaagd naar 500-microseconden. De vertraging tussen het aanzetten en het daadwerkelijk lezen van een item is verlaagd naar 50 microseconden.
Energieverbruik
Als je ergens meer lagen aan toevoegt zou je verwachten dat er meer energie verbruikt gaat worden. Niks is echter minder waar – Samsung heeft het energieverbruik van de chips gelijk weten te houden. Voorheen lag de spanning op 1.8V, deze is bij het nieuwe geheugen omlaag gebracht naar 1.2V. Samsung zegt daarbij dat de chips net zo zuinig zijn als de 64-laags NAND-chips.
Vooralsnog gaat Samsung het nieuwe productieproces enkel inzetten voor TLC (Triple Level Cells) -geheugen dies van 256 GB, al zal dit in de toekomst wel wijzigen. 1 TB QLC (Quad Level Cells) hoort daar bij de mogelijkheden. Wanneer Samsung van plan is om het nieuwe soort geheugen naar haar producten te brengen is onbekend.
